非接觸式光學量測
以非接觸式光學方式量測晶圓平坦度與形變相關參數，適合拋光後/製程前的品質監控與資料留存。
- 量測參數：BOW、WARP、SORI、TTV
- 厚度相關：CENTER THK、AVERAGE THK
- 適用：8 吋 / 12 吋雙面拋光矽晶圓（兼容）
核心特色
高穩定機構平台
以大理石龍門/台面與精密運動平台為核心架構，兼顧剛性與穩定性，便於在潔淨室條件下進行量測作業。
- 組成：Z 軸模組、XY 運動平台、大理石龍門/台面、光學控制器等
- 設備重量：1000 kg（提升抗震與穩定性）
- 環境：恆溫、隔振、萬級及以上潔淨環境
掃描路徑可選
依製程需求選擇掃描路徑與線數，平衡量測時間與資料密度，適用研發、中試與量產抽測情境。
- 路徑：1 / 2 / 4 / 6 / 8 線（如十字線、米字線等）
- 量程參考：WARP > 200 μm；THK 500–1500 μm
- 效率參考：4 線模式約 1 片/分鐘；特定設定可達約 2 片/分鐘（依路徑/線數）
技術規格
| 項目 | 內容 |
|---|---|
| 設備型號 | CST-WME-01 |
| 適用晶圓 | 8 吋 / 12 吋（兼容），雙面拋光矽晶圓 |
| 量測參數 | BOW / WARP / SORI / TTV / CENTER THK / AVERAGE THK |
| 量程 | WARP > 200 μm；THK 500–1500 μm |
| 檢測方式 | 光學量測（非接觸式） |
| 檢測速度（參考） | 約 1–2 片/分鐘（依掃描線數/路徑設定） |
| 上料方式 | 手動 |
| 設備重量 | 1000 kg |
| 外形尺寸（W×D×H） | 1260 × 990 × 1560 mm |
| 功率 | 2.5 kW |
| 使用環境 | 恆溫、隔振、萬級及以上潔淨環境 |
應用場景
- 製程過程控制（Process Control）：用於拋光後、光刻前等關鍵節點的翹曲/平坦度檢測，降低後續製程風險。
- 研發與品質驗證：適用於實驗室或中試線的平整度研究與製程優化；新材料（如 SiC、GaN）可配合需求評估設定。
- 良率提升篩選：快速識別翹曲超標晶圓，降低後續工序報廢風險。
交付／使用流程
- 上料：手動放置 8 吋或 12 吋晶圓於樣品台。
- 設定：選擇量測路徑與線數（1/2/4/6/8 線）及量測條件。
- 量測：啟動非接觸式光學掃描，取得平坦度/形變與厚度相關參數。
- 輸出：輸出結果供製程判讀、趨勢追蹤與品質留存（資料格式/介面可依需求確認）。
註：以上為參考值，非特定用途保證值；尺寸/供貨範圍與驗收條件請以報價與原廠規格書為準。