單晶矽晶體生長｜石墨坩鍋與高純熱場材料
高純度熱場材料在矽半導體單晶爐製造中扮演關鍵角色，可提供 36 吋（含）以上的大尺寸熱場材料；石墨雜質含量可控制在 < 5 ppm。可依製程需求選配 PyC 或 SiC 塗層，以符合整合電路產線對品質與一致性的要求。
- 供應範圍：36 吋（含）以上熱場材料
- 雜質控制：石墨雜質 < 5 ppm
- 塗層選項：PyC / SiC（依需求選配）
SIAMC｜半導體用石墨部件與塗層解決方案
欣熹科技代理 SIAMC，聚焦晶體生長（Si/SiC）與外延（LPCVD/MOCVD/VPE）等高溫製程所需的石墨熱場材料、精密石墨部件與塗層（PyC/TaC/SiC）整合對接；可依工藝需求協作選型、圖面確認與交付驗收（依專案）。
為何半導體製程需要高純度石墨熱場與部件？
在晶體生長與外延等高溫環境中，石墨部件的純度、均勻性、加工精度與塗層品質會直接影響製程穩定性、顆粒風險控制與部件壽命。 我們依專案需求提供高純度石墨材料與 PyC/TaC/SiC 塗層組合建議，並配合圖面與驗收條件完成交付。
核心品項
SiC 晶體生長｜製程對接（PVT / HT CVD / LPE）
石墨部件具備優異導熱性、高強度與耐腐蝕性，廣泛應用於 SiC 半導體晶體生長環節，包含籽晶托、石墨坩鍋、加熱器等。良好的一致性與穩定性，有助於客戶持續提升生產良率。
- 典型部件：籽晶托 / 石墨坩鍋 / 加熱器
- 對接方式：依設備/製程條件與驗收規格協作（依專案）
晶體生長熱場組件（Si / SiC｜Thermal Field）
可對接籽晶托、坩堝、加熱器等熱場組件；依工藝條件評估基材與塗層配置，並配合圖面與驗收條件交付。
外延（Epitaxy｜LPCVD / MOCVD / VPE）
可對接基座、加熱器、托盤與氣流分佈器等；可搭配 PyC/TaC/SiC 塗層以提升組件壽命（依專案）。
蝕刻 / 離子注入（Etch / Ion Implantation）
可對接電極、縫板（Slit plates）、擋板與屏蔽件等高精密部件；依圖面與公差需求協作加工與交付。
熱解炭塗層（PyC Coating）
依工藝需求對石墨件施作塗層，以提升高溫環境下的穩定性與使用壽命；塗層參數與驗收條件依專案定義。
碳化鉭/碳化矽塗層（TaC / SiC Coating）
可依工藝環境提供 TaC/SiC 等塗層方案，用於晶體生長與外延等高溫製程；具體塗層參數將以原廠最新規格書與專案驗收條件為準。
加工與檢測能力（摘要）
精密加工
- 可依圖面提供加工、純化與塗層整合（依專案）
- 加工精度：±0.005 mm
- 支援量測與出貨文件（依專案）
品質與檢測
- 取得「中國合格評定國家認可委員會 (CNAS)」認證。
- 自 2016 年起成為「美國材料與試驗協會 (ASTM)」組織成員；截至 2023 參與制定多項技術標準。
- 可對接純度、晶相、微觀結構等檢測需求（依專案）
- 交付可附檢測/出貨文件（依專案）
洽詢建議準備
- 製程段別：Si/SiC 長晶 / 外延（LPCVD/MOCVD/VPE）/ 蝕刻 / 注入
- 使用條件：最高溫度、介質/氣氛、顆粒/污染敏感度
- 圖面：2D/3D、尺寸/公差、表面要求、關鍵裝配面
- 需求：是否需要 PyC/TaC/SiC 塗層、純度等級、驗收項目（文件/檢測報告）